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半导体未来-力争在未来十年内发展成为国际一流的半导体设备公司

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东北虎横穿马路

7月22日,科創板鳴鑼開市,中微公司本次定價及未來表現是近期熱議話題,安信證券研究中心總經理助理諸海濱接受證券時報記者採訪時認為,中微公司是我國半導體設備企業中,極少數能與全球頂尖設備公司直接競爭並不斷擴大市場佔有率的公司,是業界公認的後起之秀。有稀缺性加上高成長的預期,所以市場給出百億級別估值;未來主要關注業績能否保持高增長勢頭從而對公司估值形成有力支撐。

何謂刻蝕?是用化學或物理方法有選擇地在硅片及外延材料表面去除不需要的材料的過程,這些化學物理反應在硅片上開槽打洞,形成令人嘆為觀止的微觀結構。「一塊指甲蓋大小的芯片可集成幾十億個晶體管。這種微觀器件領域方寸間近乎極限的操作,對刻蝕機的控制精度提出極高要求。」上海本地半導體製造業內人士向證券時報記者談道。

在獲得資本市場百億級估值后,未來目標在何處?中微公司認為,公司將圍繞自身核心競爭力,通過自主創新、有機生長,結合適當的兼并收購策略,不斷推動企業健康發展,力爭在未來十年內發展成為國際一流的半導體設備公司。

談及刻蝕設備增長潛力,諸海濱認為,中微公司的刻蝕設備雖然在銷售規模上離巨頭們有一定差距,但其部分技術水平和應用領域已達到國際同類產品的標準,產品也正獲得更多下遊客戶認可。2019年上半年預告扭虧轉盈就是一個好信號,未來市場份額有望進一步提升。

方寸間近乎極限的操作無論是上個世紀90年代的「909工程」,還是2000年之後上海張江的集成電路產業爆發,每一代芯片人都身負理想、躊躇滿志,由尹志堯領銜的中微公司創始團隊亦如是。

未來十年力爭成為國際一流半導體設備公司苦練內功之際,中微公司也正計劃藉助資本市場取得更快速發展。從3月29日科創板上市申請獲受理,到7月1日註冊生效,中微公司歷時僅93天,並成為25家科創板首批上市公司之一。

2007年,中微公司首台CCP刻蝕設備產品Primo D-RIE研製成功,由此邁開追趕國際先進水平的步伐。轉眼2015年,美國商務部宣布解除對我國等離子體刻蝕設備多年的出口管制,原因就在於中微公司已開發出了與美國設備公司具有同等質量和相當數量的等離子體刻蝕設備並實現了量產。

在一位曾參与詢價的上海本地機構人士看來,中微公司高估值主要基於兩點,一是稀缺性,二是高成長預期,按多家機構預測,2019年公司扣非前凈利潤增速仍將在100%以上。「公司研發實力突出,市場預期也很高,但並非沒有風險,未來公司能否保持長期的市場競爭力,下游晶圓廠和LED芯片製造商擴產是否符合預期等情況都需要進一步跟蹤。」該機構人士同時指出。

對於上述定價結果,不乏估值是否過高的爭議。多位受訪機構人士對證券時報記者給出了解讀。諸海濱認為,中微公司正處於高研發、高成長階段,刻蝕設備、MOCVD後續均需大量研發投入以突破更先進技術節點等,因此銷售收入增長速度相對而言能更好反映公司價值,所以PS比PE更適合對公司進行估值。而本次發行價對應的2019年動態PS和PE水平與A股可比公司(2019年)估值基本相當。

技術的突破和產品量產化正轉化為效益。中微公司2016年至2018年營業收入分別為6.1億元、9.72億元、16.39億元;歸母凈利潤分別為-2.39億元、2991.87萬元、9086.92萬元。同時,公司預計2019年1~6月實現營業收入7.2~8.6億元,同比增長55%~85%;預計實現扣非后歸母凈利潤為2200~2600萬元,較去年同期的-4801.28萬元由負轉正。

崛起之路並非坦途,更何況競爭對手均為老牌國際巨頭。截至2018年末,中微公司曾涉及四起海內外知識產權訴訟案件,涵蓋兩件專利案件和兩件商業機密案件,最終公司未嘗敗績,在訴訟中均達成和解或勝訴。這一結果與中微公司歷來在研發保持高投入密不可分。2016年-2018年公司累計研發投入10.37億元,約佔營業收入的32%。

「工欲善其事,必先利其器。」半導體產業亦如此:沒有能加工出人頭髮絲幾千分之一到上萬分之一尺度的半導體設備,就無法造出芯片。

對於國內硬核科技企業的代表,資本市場給出了高估值:發行價29.01元/股,對應PE為170.75倍,對應PS為9.47倍。

在集成電路產業中,先進集成電路大規模生產線的投資可達100億美元,75%以上是半導體設備投資,而光刻機、等離子體刻蝕設備、薄膜沉積設備是集成電路前道生產工藝中最重要、最大宗的三類設備,該市場一直主要由國外廠商主導,行業高度壟斷,技術壁壘明顯。成立伊始,中微公司就將目光瞄準了等離子體刻蝕設備領域。

如今,中微公司經過15年的發展,公司等離子體刻蝕設備已在國際一線客戶(主要為晶圓廠)從65納米到14納米、7納米和5納米的集成電路加工製造及先進封裝中有具體應用。同時,公司的MOCVD設備在行業領先客戶的生產線上大規模投入量產,已成為世界排名前列、國內佔領先地位的氮化鎵基LED MOCVD設備製造商。

「信息產業的基礎是集成電路和各種微觀器件(包括芯片等)。隨着微觀器件越來越小,研發和製造高端微觀加工設備,在人頭髮絲直徑的幾千分之一到上萬分之一的尺度上,加工複雜的微觀器件,成為最重要的、最關鍵的、最卡脖子的核心產業。中微公司以自主創新和獨立知識產權開發的等離子體刻蝕機已在國內外眾多客戶生產線廣泛應用,並核准加工14納米、7納米和5納米的最先進器件。同時,公司自主研發的製造氮化鎵基LED外延片的MOCVD關鍵設備,在眾多的LED生產線上已成為市場首選設備。相關產品均面臨了市場機會和繼續快速增長的空間。」中微公司董事長及總經理尹志堯在此前路演時介紹說。

多次知識產權訴訟從未失敗中微公司在薄膜沉積設備亦開始發力。2010年,中微公司開始研發用於LED器件加工中最關鍵的設備——MOCVD;2017年,公司設備逐步打破了維易科和愛思強兩家國際知名企業的壟斷。

時間回撥至2004年,在美國半導體領域已闖蕩20年的尹志堯帶領了一支全球化團隊回國創業;尹志堯本人在上世紀80年代曾前往加州大學洛杉磯分校留學,並獲得物理化學博士學位;1984年至2004年,他先後在英特爾、泛林半導體和應用材料擔任要職;目前,尹志堯是89項美國專利和200多項其他海內外專利的主要發明人。中微公司的其他聯合創始人、核心技術人員中還包括杜志游、倪圖強、麥仕義等在國際半導體設備產業耕耘數十年的頂尖專家。

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